Composants de circuits électroniques Mémoire 78 TFBGA MT41K256M8DA-125:K Distributeur agréé
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Attributs
SDRAM-DDR3LTechnologie
volatileType de mémoire
256 millions x 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
2 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques en ligne
Tension D'alimentation:1,283 V ~ 1,45 V
Fréquence de l'horloge:800 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM-DDR3L
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
256 millions x 8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
2 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques en ligne
Tension D'alimentation
1,283 V ~ 1,45 V
Fréquence de l'horloge
800 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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1 - 3 000 pièce
1,69 €
>= 3 001 pièce
0,8418 €
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MT41K256M8DA125 : K
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