Composants de circuits électroniques Mémoire 8 TSSOP, 8 MSOP BR93G86FVJ-3AGTE2 En stock
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Attributs
EEPROMTechnologie
Non volatileType de mémoire
1K à 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
16 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:3 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:5 mètres
Interface mémoire:Microfil
Caractéristiques du produit
Technologie
EEPROM
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
1K à 16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
16 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
3 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
5 mètres
Interface mémoire
Microfil
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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1 - 2 499 pièce
0,1328 €
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BR93G86FVJ3AGTE2
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