Composants de circuits électroniques Mémoire 8 TSSOP BR93L56FVT-WE2 Original
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Attributs
Composant et pièceType
2 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Kit de composants électroniquesCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:EEPROM
Tension D'alimentation:1,8 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:2 MHz
Organisation de la mémoire:128 par 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:5 mètres
Interface mémoire:Microfil
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
2 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Kit de composants électroniques
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
EEPROM
Tension D'alimentation
1,8 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
2 MHz
Organisation de la mémoire
128 par 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
5 mètres
Interface mémoire
Microfil
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 - 2 999 pièce
0,3007 €
>= 3 000 pièce
0,2019 €
Options
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BR93L56FVT WE2
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