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Composants de circuits électroniques Mémoire 8 WDFN Pad exposé S25FL256LDPNFV010 Canal du fabricant

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Attributs

FLASH - NONTechnologie
Non volatileType de mémoire
32Mx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
256 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:66 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, QPI

Caractéristiques du produit

Technologie
FLASH - NON
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
32Mx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
256 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
66 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
SPI - Quad E/S, QPI

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
150 - 3 149 pièce
1,70 €
>= 3 150 pièce
0,8491 €

Spécification

S25FL256LDPNFV0100

Expédition

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