Composants de circuits électroniques Mémoire 8 WDFN Pad exposé GD5F1GM7REYIGY En stock
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Attributs
FLASH - NAND (SLC)Technologie
Non volatileType de mémoire
256 millions x 4Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Kit de composants électroniques
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:104 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:600 micros
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, DTR
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NAND (SLC)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
256 millions x 4
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
1 Gbit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Kit de composants électroniques
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge
104 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
600 micros
Interface mémoire
SPI - Quad E/S, DTR
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
4 800 - 7 799 pièce
0,9248 €
>= 7 800 pièce
0,4624 €
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GD5F1GM7REIGY
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