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Composants de circuits électroniques Mémoire 8 WDFN Pad exposé BY25Q32ESWIG(R) En stock

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Attributs

BY25Q32ESWIG(R)Numéro de Type
Montage en SurfaceType de montage
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
MémoireApplication fonctionnelle
8 Tampon exposé WDFNEmballage
Série:Mémoire
Décrire:Circuit intégré FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WSON
Organisation de la mémoire:4Mx8
Interface mémoire:E/S quadruples SPI
Fréquence d'horloge:120 MHz
Temps d'accès:11,5 nanosecondes
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg

Caractéristiques du produit

Numéro de Type
BY25Q32ESWIG(R)
Type de montage
Montage en Surface
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Application fonctionnelle
Mémoire
Emballage
8 Tampon exposé WDFN
Série
Mémoire
Décrire
Circuit intégré FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WSON
Organisation de la mémoire
4Mx8
Interface mémoire
E/S quadruples SPI
Fréquence d'horloge
120 MHz
Temps d'accès
11,5 nanosecondes

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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1 - 2999 pièce
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