Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
2 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON (SLC)
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:104 MHz
Organisation de la mémoire:256Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:100 µs, 6 ms
Interface mémoire:SPI - Double E/S
