Composants de circuits électroniques Mémoire 84 TFBGA EM68C16CWQG-25H Original
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Attributs
Composant et pièceType
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Composants de pièces électroniquesCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM-DDDR2
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge:400 MHz
Organisation de la mémoire:64M à 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
1 Gbit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants de pièces électroniques
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM-DDDR2
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge
400 MHz
Organisation de la mémoire
64M à 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
2 500 - 5 499 pièce
1,27 €
>= 5 500 pièce
0,6356 €
Options
SélectionnerSpécification
EM68C16CWQG25H
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