Composants de circuits électroniques Mémoire MT53E768M32D2NP-053 RS WT:B TR En stock
Composants de circuits électroniques Mémoire MT53E768M32D2NP-053 RS WT:B TR En stockAucun avis pour l'instant
Attributs
SDRAM - LPDDR4 mobileTechnologie
-Type de mémoire
768 million x 32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
24 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Kit de circuits intégrés
Tension D'alimentation:-
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:-
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR4 mobile
Type de mémoire
-
Organisation de la mémoire
768 million x 32
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
24 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Kit de circuits intégrés
Tension D'alimentation
-
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
-
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
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2 000 - 4 999 pièce
7,02 €
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3,52 €
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MT53E768M32D2NP 053 RS WT :B TR
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