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Module de composants de circuit électronique GCMX005A170S3B1-N Transistors BOM IC En stock

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159,80 €
100-3 099 pièce
79,90 €
≥3 100 pièce

Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

GCMX005A170S3B1-N

Marque nom

Original

Description

MOSFET SiC MOD

Point d'origine

China

Package/Boîte

Module

Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)

Expédition

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Caractéristiques du produit

FET Caractéristique
-
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
Puissance Max
2,113 kW (Tc)
Package/Boîte
Module
Description
MOSFET SiC MOD
Référence fabricant
GCMX005A170S3B1-N
Marque nom
Original
Point d'origine
China
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Série
QSiC
Code date de fabrication
NEUF
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1700V (1.7kV)
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
397A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
7 mOhms à 200 A, 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 120mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1,416 µC @ 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
43 600 pF à 1,2 kV
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
Boîte
Technologie
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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Description des produits par le fournisseur

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