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Composants de circuits électroniques NTMFD6H852NLT1G Transistors 8-PowerTDFN Canal Fabricant

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Caractéristiques

Référence fabricant

NTMFD6H852NLT1G

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 80V 0.295A 8DFN

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-PowerTDFN

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NTMFD6H852NLT1G
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 80V 0.295A 8DFN
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-PowerTDFN
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
250mW (Ta)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
80V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
295mA
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
1,6 ohms à 500 mA, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
26pF à 20V
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
-
Configuration
2 canaux N (double)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs