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Composants de circuits électroniques SI7601DN-T1-E3 PowerPAK 1212-8 Transistors BOM IC en stock

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Référence fabricant

SI7601DN-T1-E3

Marque nom

Original

Description

MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8

Point d'origine

China

Package/Boîte

PowerPAK 1212-8

Température de fonctionnement

-50°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SI7601DN-T1-E3
Marque nom
Original
Description
MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8
Point d'origine
China
Package/Boîte
PowerPAK 1212-8
Température de fonctionnement
-50°C ~ 150°C (TJ)
Série
TrenchFET
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
P-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
20 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
16A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
19,2 mOhms à 11 A, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1,6 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1870 pF à 10 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
2,5 V, 4,5 V
Vgs (Max)
±12V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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