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Composants de circuits électroniques TO-236AB BSN20BKR Transistors BOM IC en stock

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Référence fabricant

BSN20BKR

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-236AB

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Référence fabricant
BSN20BKR
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-236AB
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
60 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
265mA (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
2,8 ohms à 200 mA, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1,4 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
0,49 nC @ 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
20,2 pF à 30 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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