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Composants de circuits électroniques Transistors TO252MDD7N65DS Service complet original

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Référence fabricant

TO252MDD7N65DS

Marque nom

Original

Description

MOSFET TO-252 N 650V 7A

Point d'origine

China

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-

Température de fonctionnement

-

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
TO252MDD7N65DS
Marque nom
Original
Description
MOSFET TO-252 N 650V 7A
Point d'origine
China
Package/Boîte
-
Température de fonctionnement
-
Série
TO-252
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
7A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
1,4 ohms à 3,5 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20,7 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±30V
Type de montage
Standard
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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