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Composants de circuits électroniques TPH3206PSB TO-220AB Transistors BOM IC en stock

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Référence fabricant

TPH3206PSB

Marque nom

Original

Description

GANFET N-CH 650V 16A TO220AB

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-220AB

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
TPH3206PSB
Marque nom
Original
Description
GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-220AB
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
16A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
180 mOhms à 10 A, 8 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,6 V à 500 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6,2 nC @ 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
720 pF à 480 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±18V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
GaNFET (nitrure de gallium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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