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Composants de circuits électroniques Transistors DIRECTFET MX IRF6619 Original

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1,14 €
100-3 099 pièce
0,5697 €
≥3 100 pièce

Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

IRF6619

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET

Point d'origine

China

Package/Boîte

DIRECTFET MX

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IRF6619
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
Point d'origine
China
Package/Boîte
DIRECTFET MX
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Série
HEXFET
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
20 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
30A (Ta), 150A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
2,2 mOhms à 30 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,45 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
5040 pF à 10 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT)
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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