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Composants de circuits électroniques Transistors DPAK-3 SVD5867NLT4G Service complet original

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Référence fabricant

SVD5867NLT4G

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 60V 22A DPAK-3

Point d'origine

China

Package/Boîte

DPAK-3

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SVD5867NLT4G
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 60V 22A DPAK-3
Point d'origine
China
Package/Boîte
DPAK-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
60 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
22A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
39 mOhms à 11 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
675 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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