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Composants de circuits électroniques Transistors I2PAK PSMN3R3-80ES,127 En stock

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Référence fabricant

PSMN3R3-80ES,127

Marque nom

Original

Description

ÉLÉMENT, CANAL N, SILICIUM, MOSF

Point d'origine

China

Package/Boîte

I2PAK

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
PSMN3R3-80ES,127
Marque nom
Original
Description
ÉLÉMENT, CANAL N, SILICIUM, MOSF
Point d'origine
China
Package/Boîte
I2PAK
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
80 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
120A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
3,3 mOhms à 25 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
9961 pF @ 40 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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