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Composants de circuits électroniques, modules de transistors FF6MR12KM1BOSA1 en stock

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269,45 €
100-3 099 pièce
134,73 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

FF6MR12KM1BOSA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 1200V 250A AG-62MM

Point d'origine

China

Package/Boîte

Module

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

FET Caractéristique
-
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
Puissance Max
-
Package/Boîte
Module
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 250A AG-62MM
Référence fabricant
FF6MR12KM1BOSA1
Marque nom
Original
Point d'origine
China
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Série
CoolSiC
Code date de fabrication
NEUF
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
250A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
5,81 mOhms à 250 A, 15 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5,15 V à 80 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
496nC à 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
14700pF à 800V
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
En vrac, Plateau
Technologie
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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