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Composants de circuits électroniques Transistors PG-HSOF-8-10 IPT022N10NF2SATMA1 BOM IC En stock

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Référence fabricant

IPT022N10NF2SATMA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-HSOF-8-10

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IPT022N10NF2SATMA1
Marque nom
Original
Description
MOSFET
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-HSOF-8-10
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
StrongIRFET 2
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
29A (Ta), 236A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
2,25 mOhms à 150 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,8 V à 169 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
7300 pF @ 50 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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1X1X1 cm
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