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Composants de circuits électroniques Transistors PG-SOT23-3-901 IRLML6401TRPBF-1 BOM IC En stock

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Référence fabricant

IRLML6401TRPBF-1

Marque nom

Original

Description

MOSFET

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-SOT23-3-901

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IRLML6401TRPBF-1
Marque nom
Original
Description
MOSFET
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-SOT23-3-901
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
HEXFET
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
P-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
12 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
4,3 A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
50 mOhms à 4,3 A, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
830 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
1,8 V, 4,5 V
Vgs (Max)
±8V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
En vrac
Type de FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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1X1X1 cm
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