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Composants de circuits électroniques Transistors TO-263AB RJ1R04BBHTL1 Service complet original

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100-3 099 pièce
1,33 €
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Caractéristiques

Référence fabricant

RJ1R04BBHTL1

Marque nom

Original

Description

NCH 150V 40A, TO-263AB, POWER MO

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-263AB

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
RJ1R04BBHTL1
Marque nom
Original
Description
NCH 150V 40A, TO-263AB, POWER MO
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-263AB
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
150 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
40A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
27 mOhms à 20 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2150 pF à 75 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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