Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND (SLC)
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Organisation de la mémoire:128 millions x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:3 mètres
Interface mémoire:-
