Composants de circuits électroniques W74M12JWZEIQ 8 WDFN Mémoire à contact apparent Fabricant de circuits intégrés
Note de la boutique :5.0
(1 avis)
Attributs
FLASH - NANDTechnologie
Non volatileType de mémoire
16Mx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
128 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:104 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:SPI - Quad E/S
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NAND
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
16Mx8
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Fréquence de l'horloge
104 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
128 mégabits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,95 V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
SPI - Quad E/S
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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W74M12JWZEIQ
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