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Composants électroniques FGL60N100BNTD Transistor de puissance IGBT 40N120 Courant CC CN

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Quantité minimale : 10 pièce

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FGL60N100BNTD

Type

Transistor IGBT, MOSFET

Marque nom

Original

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China

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FGL60N100BNTD
Type
Transistor IGBT, MOSFET
Marque nom
Original
Type de paquet
Montage en Surface
Description
Transistor, Veuillez contacter le fournisseur
Point d'origine
China
Package/Boîte
standard
Série
standard
Code date de fabrication
Fiche de données de référence
Application
Fiche de données de référence
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Fiche de données de référence
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Fiche de données de référence
Résistance-socle (R1)
Fiche de données de référence
Résistance-socle émetteur (R2)
Fiche de données de référence
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Fiche de données de référence
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Fiche de données de référence
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Fiche de données de référence
Vgs (th) (Max) @ Id
Fiche de données de référence
Vgs (Max)
Fiche de données de référence
Type IGBT
Fiche de données de référence
Configuration
Fiche de données de référence
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Fiche de données de référence
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Fiche de données de référence
Thermistance NTC
Fiche de données de référence
Tension-panne (V (BR) GSS)
Fiche de données de référence
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Fiche de données de référence
Vidange de courant (Id)-Max
Fiche de données de référence
Type de montage
Fiche de données de référence
Paiement
Paypal\TT\Western Union\Assurance commerciale
Emballage
Emballages d'origine
État
100% d'origine
Service
Service BOM tout-en-un
Qualité
100 % d'origine, 100 % de marque
DÉLAI DE LIVRAISON
1-3 jours ouvrables

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
10X10X10 cm
unique poids brut
3.0 kg

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