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Composants électroniques RD35HUP2 HPM SMD RF Transistor de puissance haute fréquence Marque originale

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Null

Caractéristiques

Référence fabricant

RD35HUP2

Type

Transistor RF

Marque nom

Original

Type de paquet

Nul

Description

CMS

Point d'origine

Malaysia

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
RD35HUP2
Type
Transistor RF
Marque nom
Original
Type de paquet
Nul
Description
CMS
Point d'origine
Malaysia
Package/Boîte
HPM
Code date de fabrication
En stock
Application
Haute fréquence
Collecteur de courant (Ic) (Max)
Nul
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
Nul
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Nul
Courant-coupure de collecteur (Max)
Nul
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
Nul
Puissance Max
Nul
Fréquence-Transition
Nul
Résistance-socle (R1)
Nul
Résistance-socle émetteur (R2)
Nul
FET Type
Nul
FET Caractéristique
Nul
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Nul
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Nul
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Nul
Vgs (th) (Max) @ Id
Nul
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Nul
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
Nul
Fréquence
Nul
Courant nominal (ampères)
Nul
Facteur de bruit
Nul
Alimentation-Sortie
Nul
Tension Nominale
Nul
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Nul
Vgs (Max)
Nul
Type IGBT
Nul
Configuration
Nul
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Nul
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Nul
Entrée
Nul
Thermistance NTC
Nul
Tension-panne (V (BR) GSS)
Nul
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Nul
Vidange de courant (Id)-Max
Nul
Tension-coupure (VGS off) @ Id
Nul
Résistance-RDS (On)
Nul
Tension-Sortie
Nul
Tension-décalage (Vt)
Nul
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Nul
Courant-vallée (Iv)
Nul
Courant-Crête
Nul
Tension
Nul
Température de fonctionnement
Nul
Applications
Nul

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
15X10X10 cm
unique poids brut
0.5 kg

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