Bogo Semiconductor CO., Limited

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Composants Électroniques en Promotion SIS407DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8 PowerPAK 1212-8 Canal P Entièrement Original

Name: Composants Électroniques En Promotion Sis407dn-t1-ge3 Mosfet P-ch 20v 25a Ppak1212-8 Powerpak 1212-8 Canal P Entièrement Original - Buy Product on Alibaba.com
Brand: Bogo Semiconductor CO., Limited
SKU: 1601992550840
Price: 0.19 USD
Availability: InStock

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1,39 €

1-2 999 pièce

0,1726 €

≥3 000 pièce

Quantité

Caractéristiques

Numéro de Type

SIS407DN-T1-GE3

Type de montage

Montage en Surface

Point d'origine

China

Marque nom

Original

Application fonctionnelle

P-Channel

Emballage

PowerPAK 1212-8, Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT)

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Montant des frais de port: À négocier

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Numéro de Type

SIS407DN-T1-GE3

Type de montage

Montage en Surface

Point d'origine

China

Marque nom

Original

Application fonctionnelle

P-Channel

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PowerPAK 1212-8, Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT)

type4

FETs simples, MOSFETs

Description

MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8

Série

TrenchFET

Type de FET

P-Channel

Technologie

MOSFET (oxyde métallique)

Tension drain-source (Vdss)

20 V

Courant - Drain continu (Id) @ 25°C

25A (Tc)

Tension de commande (Rds On max, Rds On min)

1,8 V, 4,5 V

Emballage et livraison

vente Unités

Article unique

seul paquet taille

1X1X1 cm

unique poids brut

0.1 kg

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Durée estimée (jours)	31	À négocier

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