Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
18 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Synchrone, SDR (ZBT)
Tension D'alimentation:2,375 V ~ 2,625 V
Fréquence de l'horloge:100 MHz
Organisation de la mémoire:512Kx36
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg
