Composant électronique 153 VFBGA ASFC8G31M-51BINTR Mémoire BOM IC En stock
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Attributs
FLASH - NAND (SLC)Technologie
Non volatileType de mémoire
8Gx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
64 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques IC
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:MMC
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NAND (SLC)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
8Gx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
64 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques IC
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
MMC
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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ASFC8G31M51BINTR
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