Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
128 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant électronique
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Organisation de la mémoire:16Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:8 ms, 2,8 ms
Interface mémoire:SPI - Quad E/S
