Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
36 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Plateau, plateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant de puces électroniques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Synchrone, DDR II
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge:400 MHz
Organisation de la mémoire:4Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
