Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
72 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Plateau, plateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Kit de circuits intégrés
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Synchrone, DDR II+
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge:400 MHz
Organisation de la mémoire:4Mx18
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg
