Composant électronique 165 TBGA IDT71V3556S133BQ8 Mémoire en stock
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5Chips Tech Limited
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Attributs
SRAM - Synchrone, SDR (ZBT)Technologie
volatileType de mémoire
128Kx36Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4,5 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants de circuits électroniques
Tension D'alimentation:3,135 V ~ 3,465 V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Synchrone, SDR (ZBT)
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
128Kx36
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants de circuits électroniques
Fréquence de l'horloge
133 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
4,5 Mbits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Tension D'alimentation
3,135 V ~ 3,465 V
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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