Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
1,152 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Double port, asynchrone
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:32 000 x 36
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:Parallèle
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg
