





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
16 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
BoîteType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré
Type de mémoire:volatile
Technologie:SGRAM-GDDR6
Tension D'alimentation:1,3095 V ~ 1,3905 V
Fréquence de l'horloge:7 GHz
Organisation de la mémoire:512 millions x 32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:POD135














