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Composant électronique 22-PowerTFDFN CSD88599Q5DCT Transistors Manufacturer Channel

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100-3 099 pièce
1,56 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

CSD88599Q5DCT

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 60V 22VSON-CLIP

Point d'origine

China

Package/Boîte

22-PowerTFDFN

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
CSD88599Q5DCT
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 60V 22VSON-CLIP
Point d'origine
China
Package/Boîte
22-PowerTFDFN
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
NexFET
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
12W
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
60V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
2,1 mOhms à 30 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4840pF à 30V
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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