Composant électronique Module DIP 24 DS1220Y-200IND+ Mémoire Distributeur agréé
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Attributs
NVSRAM (SRAM non volatile)Technologie
Non volatileType de mémoire
2K par 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
16 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Tuyau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:200 nanos
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
NVSRAM (SRAM non volatile)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
2K par 8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
16 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tuyau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puces IC
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
200 nanos
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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42 - 3 041 pièce
5,20 €
>= 3 042 pièce
2,61 €
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DS1220Y200IND+
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