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Composant électronique 36-QFN à pad exposé B11G2327N71DYZ Transistors Manufacturer Channel

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Référence fabricant

B11G2327N71DYZ

Marque nom

Original

Description

MOSFET RF LDMOS 28V 36QFN

Point d'origine

China

Package/Boîte

36-QFN avec pad exposé

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-

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
B11G2327N71DYZ
Marque nom
Original
Description
MOSFET RF LDMOS 28V 36QFN
Point d'origine
China
Package/Boîte
36-QFN avec pad exposé
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Fréquence-Transition
2,3 GHz ~ 2,7 GHz
Courant nominal (ampères)
1,4 µA
Alimentation-Sortie
-
Tension Nominale
65 V
Configuration
-
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT), Digi-Reel
Technologie
LDMOS
Configuration
-
Fréquence
2,3 GHz ~ 2,7 GHz
Gain
30dB

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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California Proposition 65 Avis aux consommateurs