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UNITE CHANCE CO., LIMITED
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Composant électronique 4-DIP, Transistors Hexdip IRFD311, canal fabricant

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100-3 099 pièce
0,3051 €
≥3 100 pièce

Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

IRFD311

Marque nom

Original

Description

MOSFET de puissance canal N

Point d'origine

China

Package/Boîte

4-DIP, Hexdip

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Expédition

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Caractéristiques du produit

Type de montage
Norme
FET Caractéristique
-
Package/Boîte
4-DIP, Hexdip
Description
MOSFET de puissance canal N
Référence fabricant
IRFD311
Marque nom
Original
Point d'origine
China
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
350 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
400mA (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
3,6 ohms à 200 mA, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7,5 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
135 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
En vrac
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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