Composant électronique 44 TSOP AS7C316096C-10TIN Mémoire d'origine
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Attributs
SRAM - AsynchroneTechnologie
volatileType de mémoire
2Mx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
16 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:10 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Asynchrone
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
2Mx8
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Fréquence de l'horloge
-
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
16 mégabits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
10 secondes
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
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paquet taille par lot
1X1X1 cm
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0.100 kg
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AS7C316096C 10 Étain
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Composant électronique 44 TSOP AS7C316096C-10TIN Mémoire d'origine












