Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Kit de circuits intégrés
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:512K x 8, 256K x 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:80 secondes
Interface mémoire:Parallèle
