Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
128 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré (CI)
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Double port, asynchrone
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:8K par 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:35 secondes
Interface mémoire:Parallèle
