Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
256 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré (CI)
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FRAM (RAM ferroélectrique)
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:15 MHz
Organisation de la mémoire:32 000 x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:PI
