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Composant électronique Transistors 8-SolC SI4539ADY-T1-E3 Originaux

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Référence fabricant

SI4539ADY-T1-E3

Marque nom

Original

Description

MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8SOIC

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largeur)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SI4539ADY-T1-E3
Marque nom
Original
Description
MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8SOIC
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largeur)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
TrenchFET
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
1,1 W
FET Caractéristique
Porte de Niveau logique
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
4,4 A, 3,7 A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
36 mOhms à 5,9 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1 V à 250 µA (min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Configuration
N and P-Channel
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
Canal N et P

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs