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Composant électronique 8 WDFN Exposed Pad S3A8004V0M-JI1AT Mémoire BOM IC En stock

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4,14 €
1-3 000 pièce
2,07 €
≥3 001 pièce
Code de date de fabrication

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

S3A8004V0M-JI1AT

Type de montage

Montage en surface

Taille de La mémoire

8Mbit

Point d'origine

China

Description

CI mémoire MRAM 8Mbit QSPI 3,3V 1

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
S3A8004V0M-JI1AT
Type de montage
Montage en surface
Taille de La mémoire
8Mbit
Point d'origine
China
Description
CI mémoire MRAM 8Mbit QSPI 3,3V 1
Type de conditionnement
Ruban coupé (CT)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Package/Boîte
8-WDFN avec pad exposé
Série
-
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
MRAM (RAM magnétorésistive)
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
108 MHz
Organisation de la mémoire
2M x 4
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
SPI - Quad I/O
Format de mémoire
RAM

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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