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Composants électroniques Transistors IXFD80N10Q-8XQ en stock

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Référence fabricant

IXFD80N10Q-8XQ

Marque nom

Original

Description

MOSFET canal N 100V (puce)

Point d'origine

China

Package/Boîte

Matrice

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IXFD80N10Q-8XQ
Marque nom
Original
Description
MOSFET canal N 100V (puce)
Point d'origine
China
Package/Boîte
Matrice
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
HiPerFET
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Type de montage
Standard
Emballage
En vrac
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
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seul paquet taille
1X1X1 cm
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