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Composant électronique FF23MR12W1M1PB11BPSA1 Module Transistors Distributeur agréé

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100-3 099 pièce
0,3989 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

FF23MR12W1M1PB11BPSA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2 IND 1200V AG-EASY1BM-2

Point d'origine

China

Package/Boîte

Module

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
FF23MR12W1M1PB11BPSA1
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2 IND 1200V AG-EASY1BM-2
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Série
CoolSiC+
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
-
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
50A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
22,5 mOhms à 50 A, 15 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5,5 V à 20 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
124nC @ 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3680pF à 800V
Configuration
2 indépendant
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
Plateau
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 Indépendant

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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