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Composant électronique FF650R17IE4PB60BPSA1 Module Transistors Original

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Référence fabricant

FF650R17IE4PB60BPSA1

Marque nom

Original

Description

PP IHM I

Point d'origine

China

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Module

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-40°C ~ 150°C

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
FF650R17IE4PB60BPSA1
Marque nom
Original
Description
PP IHM I
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
930 A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
1700 V
Courant-coupure de collecteur (Max)
5 mA
Puissance Max
4150 W
Type IGBT
-
Configuration
Demi-Pont Inverseur
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
54000 pF @ 25 V
Entrée
Standard
Thermistance NTC
Oui
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
Plateau
Type d'IGBT
-
Configuration
Onduleur demi-pont
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
930 A
Puissance - Max
4150 W
Entrée
Norme

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vente Unités
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1X1X1 cm
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