Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant électronique
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON (SLC)
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:166 MHz
Organisation de la mémoire:128 millions x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:70 µs, 1,2 ms
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, QPI, DTR
