Composant électronique IDT71P79804S267BQ 165 TBGA Mémoire Distributeur agréé
Note de la boutique :4.6
(3 avis)
Attributs
SRAM - Synchrone, DDR IITechnologie
volatileType de mémoire
1M18Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
18 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré (CI)
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge:267 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Synchrone, DDR II
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
1M18
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
18 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré (CI)
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge
267 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
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Avertissement/Disclaimer
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136 - 3 135 pièce
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IDT71P79804S267BQ
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